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키오시아, 산화물 반도체 채널 트랜지스터 DRAM ‘옥트램’ 기술 개발
2024-12-12 09:15 AM
(K-daily 뉴스)
메모리 솔루션 분야의 세계적인 선도기업인 키오시아(Kioxia Corporation)가 ‘옥트램’(OCTRAM, 산화물 반도체 채널 트랜지스터 DRAM)을 개발했다고 발표했다.
옥트램은 높은 온(ON) 전류와 초저 오프(ultra-low OFF) 전류를 동시에 갖는 산화물 반도체 트랜지스터로 구성된 새로운 타입의 4F² DRAM이다. 이 기술은 InGaZnO[1] 트랜지스터의 초저 누설 특성을 활용해 저전력 DRAM을 구현할 것으로 기대된다. 이 발표는 2024년 12월 9일 미국 캘리포니아 샌프란시스코에서 열린 IEEE 국제전자소자학회(International Electron Devices Meeting, IEDM)에서 처음 이루어졌다. 난야 테크놀로지(Nanya Technology)와 키오시아가 공동으로 개발한 성과이다. 이 기술은 AI 및 5G 이후 통신 시스템, IoT 제품 등 다양한 애플리케이션에서 전력 소비를 낮출 수 있는 잠재력을 가지고 있다.
옥트램은 실린더형 InGaZnO 수직 트랜지스터(그림 1)를 셀 트랜지스터로 활용한다. 이러한 설계로 4F² DRAM을 사용할 수 있게 되는데, 기존 실리콘 기반 6F² DRAM에 비해 메모리 밀도 면에서 상당한 장점을 제공한다.
InGaZnO 수직 트랜지스터는 소자 및 공정 최적화를 통해 15μA/셀(1.5 x10⁻⁵ A/셀) 이상의 높은 온 전류와 1aA/셀(1.0 x10⁻¹⁸ A/셀) 미만의 초저 오프 전류를 달성한다(그림 2). 옥트램 구조에서는 InGaZnO 수직 트랜지스터가 고종횡비 커패시터 위에 통합된다(커패시터 우선 공정). 이러한 배열을 통해 고급 커패시터 공정과 InGaZnO 성능 간의 상호작용을 디커플링할 수 있다(그림 3).
[1]: InGaZnO는 In(인듐), Ga(갈륨), Zn(아연), O(산소)의 화합물이다.
· 본 발표는 당사 비즈니스에 대한 정보를 제공하기 위해 작성되었고, 어떠한 관할권에서도 유가증권의 매도 제안이나 초대, 또는 매수나 청약 또는 기타 취득의 제안 권유, 또는 투자 활동에 대한 참여 유도를 구성하거나 형성하지 않으며, 그에 대한 계약과 관련하여 근거를 형성하거나 의존하는 대상이 되어서도 안된다.
· 본 문서에 포함된 제품 가격 및 사양, 서비스 내용, 문의처 등의 정보는 발표일 현재 정확하며, 사전 통지 없이 변경될 수 있다.
키오시아 소개
키오시아(Kioxia)는 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)의 개발, 생산 및 판매에 전념하는 메모리 솔루션 분야의 세계적 리더이다. 2017년 4월 그 전신인 도시바 메모리(Toshiba Memory)는 1987년 낸드(NAND) 플래시 메모리를 발명한 회사인 도시바(Toshiba Corporation)에서 스핀오프했다. 키오시아는 고객이 만족하는 선택과 사회를 위한 메모리 기반 가치를 창출하는 제품, 서비스 및 시스템을 제공함으로써 메모리로 세상을 발전시키는 데 전념하고 있다. 키오시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 고급 스마트폰, PC, SSD, 자동차 및 데이터 센터를 포함한 고밀도 애플리케이션에서 스토리지의 미래를 만들어가고 있다.
이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.
사진/멀티미디어 자료: https://www.businesswire.com/news/home/54164536/en
메모리 솔루션 분야의 세계적인 선도기업인 키오시아(Kioxia Corporation)가 ‘옥트램’(OCTRAM, 산화물 반도체 채널 트랜지스터 DRAM)을 개발했다고 발표했다.
옥트램은 실린더형 InGaZnO 수직 트랜지스터(그림 1)를 셀 트랜지스터로 활용한다. 이러한 설계로 4F² DRAM을 사용할 수 있게 되는데, 기존 실리콘 기반 6F² DRAM에 비해 메모리 밀도 면에서 상당한 장점을 제공한다.
InGaZnO 수직 트랜지스터는 소자 및 공정 최적화를 통해 15μA/셀(1.5 x10⁻⁵ A/셀) 이상의 높은 온 전류와 1aA/셀(1.0 x10⁻¹⁸ A/셀) 미만의 초저 오프 전류를 달성한다(그림 2). 옥트램 구조에서는 InGaZnO 수직 트랜지스터가 고종횡비 커패시터 위에 통합된다(커패시터 우선 공정). 이러한 배열을 통해 고급 커패시터 공정과 InGaZnO 성능 간의 상호작용을 디커플링할 수 있다(그림 3).
[1]: InGaZnO는 In(인듐), Ga(갈륨), Zn(아연), O(산소)의 화합물이다.
· 본 발표는 당사 비즈니스에 대한 정보를 제공하기 위해 작성되었고, 어떠한 관할권에서도 유가증권의 매도 제안이나 초대, 또는 매수나 청약 또는 기타 취득의 제안 권유, 또는 투자 활동에 대한 참여 유도를 구성하거나 형성하지 않으며, 그에 대한 계약과 관련하여 근거를 형성하거나 의존하는 대상이 되어서도 안된다.
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키오시아 소개
키오시아(Kioxia)는 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)의 개발, 생산 및 판매에 전념하는 메모리 솔루션 분야의 세계적 리더이다. 2017년 4월 그 전신인 도시바 메모리(Toshiba Memory)는 1987년 낸드(NAND) 플래시 메모리를 발명한 회사인 도시바(Toshiba Corporation)에서 스핀오프했다. 키오시아는 고객이 만족하는 선택과 사회를 위한 메모리 기반 가치를 창출하는 제품, 서비스 및 시스템을 제공함으로써 메모리로 세상을 발전시키는 데 전념하고 있다. 키오시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 고급 스마트폰, PC, SSD, 자동차 및 데이터 센터를 포함한 고밀도 애플리케이션에서 스토리지의 미래를 만들어가고 있다.
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